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分析了gaas/ge單結太陽電池研制中兩種異常i-v特性曲線出現的主要原因:gaas/ge界面的相互擴散,形成附加結或附加勢壘;並獲得與實驗有很好吻合的計算模擬結果,進一步證實了理論分析.此外,在上述分析的指導下,通過降低生長溫度和優化成核條件,成功獲得了效率為20.95％(am0,25℃,2cm×4cm)的gaas/ge太陽電池.
[英文摘要]

[關鍵詞]
gaas/ge太陽電池,i-v特性曲線,計算機模擬,界面擴散
[作者]
塗潔磊王亮興張忠衛池衛英彭冬生陳超奇tujieleiwangliangxingzhangzhongweichiweiyingpengdongshengchenchaoqi
[作者單位]
上海空間電源研究所,上海,200233;雲南師范大學太陽能研究所,昆明,650092;上海空間電源研究所,上海,200233;上海空間電源研究所,上海,200233;上海空間電源研究所,上海,200233;上海空間電源研究所,上海,200233;上海空間電源研究所,上海,200233
[刊名]
半導體學報
[英文刊名]
chinesejournalofsemiconductors
[期刊類別]
無線電電子學與電信技術

[年卷期]
2005 26 z1點擊免費下載論文：gaas/ge太陽電池異常i-v特性曲線分析

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