霍尼韋爾120報雙防區模塊問題

霍尼韋爾120報雙防區模塊問題

霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場，則在寬度y方向上會產生電動勢uh，這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢，其大小可表示為：
uh=rh/d*ic*b（1）
式中，rh稱為霍爾系數，由半導體材料的性質決定；d為半導體材料的厚度。
設rh/d=k,則式（1）可寫為：
uh=k*ic*b(2)
可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，k稱為乘積靈敏度。k值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。
在式（2）中，若控制電流ic,為常數，磁感應強度b與被測電流成正比，就可以做成霍爾電流傳感器；另外，若仍固定ic為常數，b與被測電壓成正比，又可制成霍爾電壓傳感器。