誰知道尚朋堂sr 1608電磁爐大功率管的型號

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電磁爐的功率管一般是通用的。這個功率管也叫做igbt，igbt
絕緣柵雙極晶體管(iusulatedgatebipolartransistor)簡稱igbt,是一種集bjt的大電流密度和mosfet等電壓激勵場控型器件優點於一體的高壓、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工藝制作的igbt,但它們均可被看作是一個mosfet輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復合結構。

igbt有三個電極,分別稱為柵極g(也叫控制極或門極)、集電極c(亦稱漏極)及發射極e(也稱源極)。
從igbt的下述特點中可看出,它克服了功率mosfet的一個致命缺陷,就是於高壓大電流工作時,導通電阻大,器件發熱嚴重,輸出效率下降。
igbt的特點:
1.電流密度大,是mosfet的數十倍。
2.輸入阻抗高,柵驅動功率極小,驅動電路簡單。
3.低導通電阻。在給定芯片尺寸和bvceo下,其導通電阻rce(on)不大於mosfet的rds(on)的10%。
4.擊穿電壓高,安全工作區大,在瞬態功率較高時不會受損壞。
不同機種采了不同規格的igbt,它們的參數如下:
(1)sgw25n120----西門子公司出品,耐壓1200v,電流容量25℃時46a,100℃時25a,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套6a/1200v以上的快速恢復二極管(d11)使用,該igbt配套6a/1200v以上的快速恢復二極管(d11)後可代用skw25n120。
(2)skw25n120----西門子公司出品,耐壓1200v,電流容量25℃時46a,100℃時25a,內部帶阻尼二極管,該igbt可代用sgw25n120,代用時將原配套sgw25n120的d11快速恢復二極管拆除不裝。
(3)gt40q321----東芝公司出品,耐壓1200v,電流容量25℃時42a,100℃時23a,內部帶阻尼二極管,該igbt可代用sgw25n120、skw25n120,代用sgw25n120時請將原配套該igbt的d11快速恢復二極管拆除不裝。
(4)gt40t101----東芝公司出品,耐壓1500v,電流容量25℃時80a,100℃時40a,內部不帶阻尼二極管,所以應用時須配套15a/1500v以上的快速恢復二極管(d11)使用,該igbt配套6a/1200v以上的快速恢復二極管(d11)後可代用sgw25n120、skw25n120、gt40q321,配套15a/1500v以上的快速恢復二極管(d11)後可代用gt40t301。
(5)gt40t301----東芝公司出品,耐壓1500v,電流容量25℃時80a,100℃時40a,內部帶阻尼二極管,該igbt可代用sgw25n120、skw25n120、gt40q321、gt40t101,代用sgw25n120和gt40t101時請將原配套該igbt的d11快速恢復二極管拆除不裝。
(6)gt60m303----東芝公司出品,耐壓900v,電流容量25℃時120a,100℃時60a,內部帶阻尼二極管。

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